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一种用于硅晶体材料缺陷显示的腐蚀液及其使用方法
  • 所有权人:中科院发布时间:2020-06-01

    所属行业:机械制造状态:已审核    

  • 技术成熟度:通过小试

    省(国)别:中国

  • 技术交易方式:技术转让

    技术转让价格:面议万元

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技术详细介绍:

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本发明公开的用于硅晶体材料缺陷显示的腐蚀液,以体积百分数计,含有:质量浓度为65%~68%的HNO3≥10%,质量浓度为40%的HF≥5%,且35%≤HNO3+HF≤75%,其余体积由H2O补足,使得HNO3+HF+H2O=100%。该腐蚀液适用范围广,可以用于电阻率为0.0007~80Ω·cm、(110)、(100)和(111)等不同晶向硅片的缺陷的择优腐蚀,并且具有缺陷分辨能力高、腐蚀时间短、可调节浓度范围广、不含重金属离子以及使用简易等优点。这种腐蚀剂尤其适用于低阻硅片的缺陷显示。

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