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一种具有高机械强度的掺锗直拉硅片及其制备方法
  • 所有权人:中科院发布时间:2020-05-28

    所属行业:机械制造状态:已审核    

  • 技术成熟度:通过小试

    省(国)别:中国

  • 技术交易方式:技术转让

    技术转让价格:面议万元

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技术详细介绍:

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本发明公开的掺锗直拉硅片,硅片中的氧浓度为5×1017~15×1017cm-3,锗浓 度为1×1015~1×1021cm-3,体微缺陷密度为1×106~1×1010cm-3。其制备方法为: 将上述氧浓度和锗浓度的直拉掺锗硅单晶片,在氩气或氮气保护下,于450~ 950℃保温2~50小时;或者先在450~950℃保温2~50小时,然后在1000~ 1300℃保温2~30小时。将掺锗直拉硅单晶片经热处理工艺,可以在硅片体内 形成高密度的氧沉淀,并诱生出高密度的体微缺陷,这些体微缺陷将钉扎硅片 中的位错,抑制位错的滑移运动,从而提高直拉硅片的断裂强度,改善直拉硅 片的机械性能,提高集成电路的成品率。

合作单位

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